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三星突破80nm制程 推出2Gbit内存颗粒

时间：2004/10/8 14:04:00来源：本站整理作者：蓝点我要评论(0)

　　据HKEPC报道，韩国三星电子宣布其已经成功使用80nm工艺技术，制造出全球第一颗拥有高达2GBit容量的DDR 2内存颗粒。这项新的DRAM技术取得了很多突破性进展，包括3D晶体管技术，凹槽数组晶体管（RCAT），和新概念架构处理。出现于2003年的RCAT是三星公司一项独特的技术，它用于通过使用一种3D结构设计，来减少晶体管所占的体积。

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