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美公司研发出容量高达10GB的碳纳米管存储器 时间：2004/10/8 13:38:00来源：本站整理作者：蓝点我要评论(0): 　　美国东部时间6月17日(北京时间6月18日)消息，目前，基于碳纳米管的计算机存储器发展已进入一个新的里程。由美国马萨诸塞州Nantero公司新研制的计算机存储器可以用100多亿个碳纳米管进行信息的存储，并从理论上可以进行10GB数据的处理。使计算机运算速度更快，表现得更加出色。

　　Nantero公司的执行总裁格雷格-施梅尔德(Greg Schmergel)称，碳纳米管随机存取存储器(NRAM)能更好地控制数据，使数据运算变得安全稳定。即使计算机电源被切断，NRAM存储器的数据也不会丢失。同时，该存储器可以很快地导入数据并进行运算。从纳米管技术目前的开发和应用可以看出，NRAM存储器要比当前非永久性存储器(RAM)要快得多。我们确信由碳碳纳米管制造工艺生产的计算机存储器会有很大的优势。这个创造性的突破也可以使纳米管技术应用到各个领域。

　　碳纳米管制造技术的出现，的确是存储器制造技术的一个新里程碑。但是，这种技术目前潜在一个问题：在制造过程中很难区分纳米管的类型。制造过程中必须要区分导性和半导性纳米管。如果实现不了这种技术分类，那么，碳纳米管还不如其它芯片制造工艺。有关分析家预测，Nantero公司开始使用纳米管生产集成芯片，这只是碳电子技术应用的开端。纳米管随机存取存储器(NRAM)的记忆存储能力在18个月内会以0.4GB的速度发展。在未来三年中，纳米管制造工艺将日益完善并在存储器市场将占有一席之地。(新浪科技明月编译)

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