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三星取得重大技术突破闪存存储容量升到8G 时间：2004/10/8 14:04:00来源：本站整理作者：蓝点我要评论(0)

　　汉城9月20日消息韩国三星电子（Samsung Electronics）周一宣布它已在关键技术的开发上取得突破性进展。这些应用在计算机和移动设备如MP3音频播放器上技术可以提供更多的数据存储空间和更快的处理速度。

　　这家全球领先的半导体制造商说它已使用60纳米技术成功开发出业界第一片应用于数据存储的容量为8G的NAND闪存存储芯片。

　　8G的NAND闪存存储可以在单一一片存储卡上存储高达16小时的DVD视频或4000个MP3音频文件或歌曲。

　　“在业界我们首次成功地使下一代60纳米技术迈向了商业化。”该公司在一篇新闻稿中称。

　　“新的NAND闪存存储将推动各种移动应用的发展。”

　　该公司说8G NAND芯片将继明年第一季度推出4G产品后于明年晚些时候投入批量生产。

　　第二项技术突破涉及该公司使用现有80纳米微处理技术开发全球第一个2Gb DDR2 SDRAM产品。

　　该公司称，这块高密、双数据速率或称为DDR2的芯片将提高服务器和工作站的表现性能，加快存储密集型应用软件，如实时视频会议、远程媒体服务、双向通信和3D图形等的反应速度。

　　三星公司计划在2005年下半年将应用80纳米工艺制程的2G DDR2 SDRAMs投入批量生产。

　　这家公司还表示它已开发出全球最快的667MHz的手机CPU，它适合用于3D图形的处理。

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三星取得重大技术突破 闪存存储容量升到8G